浙江耐火铝碳化硅碳砖应用 宜兴新威利成耐火材料供应

耐火材料是高温工业重要的基础材料，我国是世界比较大的耐火材料生产国，2015年产量约为2800万吨。耐火材料在使用过程中，经常由于工作面的侵蚀或剥落而被废弃。据不完全统计，每年产生的用后耐火材料超过800万吨。这些用后耐火材料很少被科学、高效利用，大多被就地掩埋或降级使用，造成资源浪费和环境污染。例如，粉尘污染；氧化锆耐火原料具有放射性；用后镁铬砖中的Cr6+可致*，并污染地下水；耐火纤维和石棉具有致*性；沥青和树脂挥发分带来污染等。资源对所有国家都是非常重要的，尤其是众多不可再生资源。用后耐火材料的回收再利用得到越来越多的重视，研究工作得以不断深入开展。由于用后耐火材料分布在全国各地，如能得到充分有效利用，不仅能减少耐火矿物的开采量，降低耐火原料生产、制备过程中的费用和能耗，浙江耐火铝碳化硅碳砖应用，还可节约耐火原料的运输成本，浙江耐火铝碳化硅碳砖应用，有利于资源节约，浙江耐火铝碳化硅碳砖应用、节能和环保，具有***的经济、社会效益。碳化硅功率器件应用于电机驱动系统中的主逆变器，能够***降低电力电子系统的体积、重量和成本。浙江耐火铝碳化硅碳砖应用

使用碳化硅MOSFET或碳化硅MOSFET与碳化硅SBD结合的功率模块的光伏逆变器，转换效率可从96%提升至99%以上，能量损耗降低50%以上，设备循环寿命提升50倍，从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。高效、高功率密度、高可靠和低成本是光伏逆变器的未来发展趋势。在组串式和集中式光伏逆变器中，碳化硅产品预计会逐渐替代硅基器件。2.1.3.碳化硅功率器件是轨道交通领域的关键器件轨道交通车辆呈现多样化发展，从运行状态上可分为干线机车、城市轨道车辆、高速列车，其中城市轨道车辆和高速列车是轨道交通未来发展的主要动力。轨道交通车辆中大量应用功率半导体器件，其牵引变流器、辅助变流器、主辅一体变流器、电力电子变压器、电源充电机都有使用碳化硅器件的需求。浙江特种铝碳化硅碳砖应用碳化硅是第三代半导体材料，光电特性优越，满足新兴应用需求。

（1）新能源车、5G通信发展不及预期风险。新能源车为碳化硅功率器件带来巨大的增量市场；5G通信领域驱动碳化硅射频器件需求增长。若新能源车销量、5G基站建设数量不及预期，SiC的发展会随之受到影响。（2）SiC技术难度大，产品研发不及预期风险。国外**企业大力布局SiC领域研发，若国内企业产品研发失败，无法满足下游应用市场要求，对市场前景会产生不利影响。（3）相关扩产项目不及预期风险。国内外主要碳化硅厂商均在大力扩产，产品竞争加剧，可能出现产能过剩的问题。若扩产项目不及预期，会对公司的竞争力产生不利影响。（4）SiC成本高居不下，光伏、轨交等领域SiC渗透率不及预期风险。目前碳化硅功率器件的价格仍数倍于硅基器件，下游应用领域仍需平衡碳化硅器件的高价格与因碳化硅器件的优越性能带来的综合成本下降之间的关系，一定程度上限制了碳化硅器件的渗透率。若碳化硅制造成本无法下降，对市场应用进展产生不利影响。

技术实现要素：本发明的目的是提供一种半轻质铝碳化硅碳砖及其制备方法，制备得到的半轻质铝碳化硅碳砖体密低，热震稳定性好，耐侵蚀，热导率也得到有效降低，能够节能降耗，与普通铝碳化硅碳砖相比，成本也得到一定幅度降低。一种半轻质铝碳化硅碳砖，由如下原料制成：所述圭亚那矾土为半轻质多孔高纯铝质原料；其中所述半轻质铝碳化硅碳砖体积密度较同类普通铝碳化硅碳砖低0.15～0.25g/cm3。圭亚那矾土生矿产自圭亚那，主要物相为三水铝石，本发明所用圭亚那矾土原料为矾土熟矿，由圭亚那矾土生矿烧出，具有与普通矾土不同的特性，目前国内直接称之为圭亚那矾土，可通过购买获得，例如可购至重庆市赛特刚玉有限公司。导电型碳化硅衬底：指电阻率在 15~30mΩ·cm 的碳化硅衬底。

    我国用后耐火材料再利用亟待发展我国对用后耐火材料再利用的研究起步较晚，再利用率相对较低。据有关报道，我国用后耐火材料的再利用率不到30%，得到利用的部分也是以降低产品质量为代价的。近年来，国内各大钢厂和大部分耐火材料厂都十分重视用后耐火材料的回收及再利用，不断开展研究及应用工作。宝钢用后耐火材料再利用工作进行得较好，高炉主沟浇注料已全部回收用作渣沟浇注料的原料，对用后镁碳砖进行再生处理后制备的再生镁碳砖具有抗氧化和抗渣性能强、使用寿命长的优势。武钢将用后铝镁碳残砖分类、***杂质后，人工将黏渣层和过渡层铲除，并进行磁选和水化处理，用颚式破碎机将物料破碎至25mm以下，***用锤式破碎机加工成所需要的粒度，以制备再生铝镁碳砖。 从而能够缩小系统体积、增加功率密度、延长器件使用寿命、降低生产成本。浙江耐火材料铝碳化硅碳砖价格

广泛应用于集成电路等低压、低频、低功率场景。但是，***代半导体材料难以满足高功率及高频器件需求。浙江耐火铝碳化硅碳砖应用

砷化镓是第二代半导体材料的**，较高的电子迁移率使其应用于光电子和微电子领域，是制作半导体发光二极管和通信器件的**材料。但砷化镓材料的禁带宽度较小、击穿电场低且具有毒性，无法在高温、高频、高功率器件领域推广。第三代半导体材料以碳化硅、氮化镓为**，与前两代半导体材料相比比较大的优势是较宽的禁带宽度，保证了其可击穿更高的电场强度，适合制备耐高压、高频的功率器件，是电动汽车、5G基站、卫星等新兴领域的理想材料。SiC具有宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，使其有耐高温、耐高压、高频、大功率、抗辐射等优点，可降低下游产品能耗、减少终端体积。浙江耐火铝碳化硅碳砖应用

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