ESD二极管作为齐纳二极管，具有齐纳击穿和雪崩击穿两种特性。齐纳击穿是电子隧穿耗尽区导致的反向电流突然增加，而雪崩击穿则是由于电子与晶格原子碰撞电离产生的。这两种击穿特性使得二极管能够在不同的电压范围内提供有效的保护。ESD二极管符合IEC61000-4-2等国际标准。这保证了其防护的可靠性和有效性，使得产品能够普遍应用于各种电子设备中，满足严格的防护要求。将ESD二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作。当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，二极管迅速由高阻态变为低阻态，为瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时将异常高压钳制在安全水平内，保护被保护IC或线路。
ESD二极管提供双向保护，即在正向和反向电压下都能提供保护。这一特性使得它在电子设备中能够更全方面地保护电路免受静电放电的损害。无论静电放电是从正向还是反向侵入电路，ESD二极管都能迅速响应并提供有效的保护。在便携式设备如手机、IPAD、数码相机等中，ESD二极管的应用尤为重要。这些设备中的电路板集成度高，容易受到静电的损害。通过引入ESD二极管，可以有效地吸收和耗散静电能量，保护设备中的电子元器件免受损害，确保设备的正常运行。
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